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STH175N4F6-2AG

NRND
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Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package

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  • These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on)in all packages.

    主な特徴

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS10892
      Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mΩ typ.,120 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in H²PAK-2 and H²PAK-6 packages       		1.0
      589.14 KB
      		PDF
      DS10892

      Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mΩ typ.,120 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in H²PAK-2 and H²PAK-6 packages

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance       		1.2
      1.13 MB
      		PDF
      		AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications       		1.2
      1.45 MB
      		PDF
      		AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies       		1.1
      1.22 MB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      PDF
      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      PDF
      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		STH175N4F6-2AG PSpice model 1.0
      9.93 KB
      		ZIP

      STH175N4F6-2AG PSpice model

      ZIP

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      		PDF
      		AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      676.32 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF
      		STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.1
      687.95 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

      PDF

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

      PDF

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STH175N4F6-2AG
NRND
H2PAK-2 オートモーティブ Ecopack1

STH175N4F6-2AG

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

More Info

Marketing Status

NRND

Package

H2PAK-2

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度（℃） Country of Origin
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最小
最大
STH175N4F6-2AG Available at 1 distributors

販売代理店在庫STH175N4F6-2AG

代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
RS COMPONENTS EUROPE 75 1 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-27

代理店名

RS COMPONENTS

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EUROPE 発注する

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NRND
EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-2 - - CHINA

STH175N4F6-2AG

製品ステータス

NRND

ECCN (US)

EAR99
詳細情報

Budgetary Price (US$)*/Qty

販売代理店在庫STH175N4F6-2AG

代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
RS COMPONENTS EUROPE 75 1 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-27

代理店名

RS COMPONENTS

在庫

75

Min.Order

1

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-27

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

H2PAK-2

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。