製品概要
概要
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on)in all packages.-
特徴
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
注目ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
Ideal for hard-switching and high-current topologies
推奨コンテンツ
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STH175N4F6-2AG
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フットプリント
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 24 Feb 2015 |
24 Feb 2015
|
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STH175N4F6-2AG |
NRND
|
H2PAK-2 | オートモーティブ | Ecopack1 |
|
STH175N4F6-2AG
Package:
H2PAK-2Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STH175N4F6-2AG |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
NRND
|
EAR99 | NEC | Tape And Reel | H2PAK-2 | - | - | CHINA | |||
製品ステータス
NRNDECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。