STH185N10F3-6

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Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6 package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using STripFET™ F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Ultra low on-resistance
    • 100% avalanche tested

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      DS10777
      Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 mΩ typ., STripFET™ F3 Power MOSFET in an H2PAK- 6 package
      2.0
      913.91 KB
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      DS10777

      Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 mΩ typ., STripFET™ F3 Power MOSFET in an H2PAK- 6 package

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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STH185N10F3-6 PSpice model 1.0
      9.85 KB
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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STH185N10F3-6
量産中
H2PAK-6 Automotive Ecopack1

STH185N10F3-6

Package:

H2PAK-6

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

H2PAK-6

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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