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This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特徴
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
注目ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
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製品スペック (1)
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| 01 Jan 1970 |
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アプリケーションノート (5)
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ユーザ･マニュアル (1)
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フライヤ (4)
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パンフレット (1)
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STH272N6F7-6AG
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
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HWモデル / CADライブラリ / SVD (1)
| Resource title | Latest update | |||
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| ZIP | 01 Jan 1970 |
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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| STH272N6F7-6AG |
NRND
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H2PAK-6 | オートモーティブ | Ecopack1 |
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STH272N6F7-6AG
Package:
H2PAK-6Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STH272N6F7-6AG |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
NRND
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | H2PAK-6 | - | - | CHINA | 6.0 / 1k | ||
製品ステータス
NRNDECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
6.0 / 1k（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
