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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主な特徴

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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製品型番
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ECCN (US)
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STH272N6F7-6AG H2PAK-6 Tape And Reel
NRND
EAR99 CHINA 6.0 / 1k

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STH272N6F7-6AG

パッケージ

H2PAK-6

梱包タイプ

Tape And Reel

Budgetary Price (US$)*/Qty

6.0 / 1k

製品ステータス

NRND

Budgetary Price (US$)* / Qty

6.0 / 1k

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

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モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11562
      Automotive-grade N-channel 60 V, 0.95 mΩ typ., 180 A STripFET™ F7 Power MOSFET in H²PAK-6 package
      1.0
      804.69 KB
      PDF
      DS11562

      Automotive-grade N-channel 60 V, 0.95 mΩ typ., 180 A STripFET™ F7 Power MOSFET in H²PAK-6 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
      PDF
      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
      1.1
      1,006.7 KB
      PDF
      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      AN4789

      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance

      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STH272N6F7-6AG PSpice model 1.0
      10.11 KB
      ZIP

      STH272N6F7-6AG PSpice model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STH272N6F7-6AG
NRND
H2PAK-6 Automotive Ecopack1

STH272N6F7-6AG

Package:

H2PAK-6

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

H2PAK-6

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください