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This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
主な特徴
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | Approximate Price (US$)* / Qty | STからオーダー | 販売代理店からオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STH290N4F6-6AG | H2PAK-6 | Tape And Reel | 量産中 | EAR99 | CHINA | 3.47 | 購入 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
モバイル･アプリケーション
| 製品型番 | 製品ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STH290N4F6-6AG | 量産中 | H2PAK-6 | Automotive | Ecopack1 | |
STH290N4F6-6AG
Package:
H2PAK-6Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
