Product overview
概要
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.-
All features
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
注目ビデオ
All tools & software
All resources
Resource title | Latest update |
---|
製品スペック (1)
Resource title | Latest update | |||
---|---|---|---|---|
06 Jul 2015 |
06 Jul 2015
|
アプリケーションノート (4)
Resource title | Latest update | |||
---|---|---|---|---|
13 Sep 2018 |
13 Sep 2018
|
|||
07 Jan 2019 |
07 Jan 2019
|
|||
08 Nov 2019 |
08 Nov 2019
|
|||
13 Sep 2018 |
13 Sep 2018
|
ユーザ・マニュアル (1)
Resource title | Latest update | |||
---|---|---|---|---|
21 Oct 2016 |
21 Oct 2016
|
フライヤ (4)
Resource title | Latest update | |||
---|---|---|---|---|
22 Feb 2021 |
22 Feb 2021
|
|||
25 Sep 2019 |
25 Sep 2019
|
|||
08 May 2020 |
08 May 2020
|
|||
13 Jun 2019 |
13 Jun 2019
|
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
品質 & 信頼性
製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
---|---|---|---|---|---|
STH290N4F6-6AG |
量産中
|
H2PAK-6 | オートモーティブ | Ecopack1 |
|
STH290N4F6-6AG
Package:
H2PAK-6Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
最小 | 最大 | |||||||||||
STH290N4F6-6AG |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください |
Buy Direct |
量産中
|
EAR99 | NEC | Tape And Reel | H2PAK-6 | - | - | CHINA |
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。