STH320N4F6-2

NRND

N-channel 40 V, 1.1 mOhm typ., 200 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package

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  • These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STH320N4F6-2 H2PAK-2 Tape And Reel
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技術文書

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      DS9472
      Automotive-grade N-channel 40 V, 1.1 mΩ typ., 200 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in H²PAK-2 and H²PAK-6
      3.0
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      PDF
      DS9472

      Automotive-grade N-channel 40 V, 1.1 mΩ typ., 200 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in H²PAK-2 and H²PAK-6

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      AN3267
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STH320N4F6-2 PSpice model 2.0
      10.21 KB
      ZIP

      STH320N4F6-2 PSpice model

関連資料

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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STH320N4F6-2
NRND
H2PAK-2 Automotive Ecopack1

STH320N4F6-2

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

H2PAK-2

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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