STI150N10F7

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N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in I2PAK package

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  • These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主な特徴

    • Among the lowest RDS(on)on the market
    • Excellent figure of merit (FoM)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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STI150N10F7 I2PAK Tube
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STI150N10F7

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技術文書

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      DS9622

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      UM1575

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STI150N10F7
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I2PAK インダストリアル Ecopack2

STI150N10F7

Package:

I2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

I2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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