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STI45N10F7

NRND
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N-channel 100 V, 0.013 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in I2PAK package

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  • These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主な特徴

    • Among the lowest RDS(on)on the market
    • Excellent figure of merit (FoM)
    • Low Crss/Cissratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness
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製品型番
パッケージ
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STI45N10F7 I2PAK Tube
NRND
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YOSUN ASIA/PACIFIC 1000 1000 発注する
RS COMPONENTS EUROPE 800 1 発注する
ARROW EUROPE 1000 0 発注する
MOUSER WORLDWIDE 1280 1 発注する

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YOSUN

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STI45N10F7

パッケージ

I2PAK

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS9586
      N-channel 100 V, 0.0145 Ω typ., 45 A, STripFET™ F7 Power MOSFETs in DPAK, I²PAK and TO-220 packages       		2.0
      1.17 MB
      		PDF
      DS9586

      N-channel 100 V, 0.0145 Ω typ., 45 A, STripFET™ F7 Power MOSFETs in DPAK, I²PAK and TO-220 packages

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance       		1.2
      1.13 MB
      		PDF
      		AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance       		1.1
      1,006.7 KB
      		PDF
      		AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications       		1.2
      1.45 MB
      		PDF
      		AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies       		1.1
      1.22 MB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      PDF
      AN4789

      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance

      PDF
      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

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      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

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      		AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
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      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

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      1.03 MB
      		PDF

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STI45N10F7
NRND
I2PAK Industrial Ecopack2

STI45N10F7

Package:

I2PAK

Material Declaration**:

More Info

Marketing Status

NRND

Package

I2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください