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These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
特徴
- Among the lowest RDS(on)on the market
- Excellent figure of merit (FoM)
- Low Crss/Cissratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
注目ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
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製品スペック (1)
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アプリケーションノート (5)
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ユーザ・マニュアル (1)
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フライヤ (4)
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パンフレット (1)
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
品質 & 信頼性
製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STI45N10F7 |
NRND
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I2PAK | インダストリアル | Ecopack2 |
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STI45N10F7
Package:
I2PAKMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STI45N10F7 | 2 distributors | Buy Direct |
NRND
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EAR99 | NEC | Tube | I2PAK | - | - | CHINA | 1.2 / 1k |
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。