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These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
主な特徴
- Among the lowest RDS(on)on the market
- Excellent figure of merit (FoM)
- Low Crss/Cissratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | 概算価格（USS） | Quantity | ECCN (US) | Country of Origin | 販売代理店からオーダー | STからオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STI45N10F7 | I2PAK | Tube | Active | 1.2 | 1000 | EAR99 | CHINA | 在庫チェック | サンプル入手 |
(*) Suggested Resale Price per unit (USD) for BUDGETARY USE ONLY. For quotes, prices in local currency, please contact your local ST Sales Office or our Distributors
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Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
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| 製品型番 | 製品ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STI45N10F7 | Active | I2PAK | Industrial | Ecopack2 | |
STI45N10F7
Package:
I2PAKMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
