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  • This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps allowing remarkable manufacturing reproducibility.

    主な特徴

    • Optimized for high switching operation
    • Low gate charge
    • Logic level gate drive

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STI55NF03L I2PAK Tube
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STI55NF03L

パッケージ

I2PAK

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Tube

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      DS7229

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STI55NF03L
Active
I2PAK オートモーティブ Ecopack1

STI55NF03L

Package:

I2PAK

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

I2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.