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This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
主な特徴
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent figure of merit (FoM)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | STからオーダー | 販売代理店からオーダー |
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| STL11N6F7 | POWERFLAT 3.3X3. | Tape And Reel | 量産中 | EAR99 | CHINA | 0.62 / 1k | 在庫チェック |
STL11N6F7
パッケージ
POWERFLAT 3.3X3.梱包タイプ
Tape And ReelBudgetary Price (US$)*/Qty
0.62 / 1k（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
モバイル･アプリケーション
| 製品型番 | 製品ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STL11N6F7 | 量産中 | POWERFLAT 3.3X3. | Industrial | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
