製品概要
概要
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.-
特徴
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
注目ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
Ideal for hard-switching and high-current topologies
推奨コンテンツ
All tools & software
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STL12N10F7
アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STL12N10F7 | 量産中 | POWERFLAT 3.3X3. | インダストリアル | Ecopack2 | |
STL12N10F7
Package:
POWERFLAT 3.3X3.Material Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STL12N10F7 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | POWERFLAT 3.3X3. | - | - | CHINA | | ||
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。