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This device is a dual P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
主な特徴
- RDS(on)* Qgindustry benchmark
- Extremely low on-resistance RDS(on)
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power losses
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | 概算価格（USS） | 数量 | ECCN (US) | Country of Origin | 販売代理店からオーダー | STからオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL13DP10F6 | PowerFLAT 5x6 double island | Tape And Reel | アクティブ | - | - | EAR99 | CHINA | 在庫チェック |
STL13DP10F6
パッケージ
PowerFLAT 5x6 double island梱包タイプ
Tape And ReelUnit Price (US$)
*(*) Suggested Resale Price per unit (USD) for BUDGETARY USE ONLY. For quotes, prices in local currency, please contact your local ST Sales Office or our Distributors
ビデオ
開発ツール･ハードウェア
| 製品型番 | 製品ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|
| STL13DP10F6 | アクティブ | PowerFLAT 5x6 double island | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.
