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STL13DP10F6

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Dual P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 3.3 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 double island

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  • This device is a dual P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

    主な特徴

    • RDS(on)* Qgindustry benchmark
    • Extremely low on-resistance RDS(on)
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power losses
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STL13DP10F6 PowerFLAT 5x6 double island Tape And Reel
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PowerFLAT 5x6 double island

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS9367
      Dual P-channel 100 V, 0.136 Ω typ., 3.3 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island       		2.0
      575.01 KB
      		PDF
      DS9367

      Dual P-channel 100 V, 0.136 Ω typ., 3.3 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		STL13DP10F6 PSpice model 1.0
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      STL13DP10F6 PSpice model

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL13DP10F6
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PowerFLAT 5x6 double island インダストリアル Ecopack2

STL13DP10F6

Package:

PowerFLAT 5x6 double island

Material Declaration**:

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Package

PowerFLAT 5x6 double island

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.