N-channel 30 V, 0.0016 Ohm typ., 33 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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PowerFLAT 5x6

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS6078
      N-channel 30 V, 0.0016 Ω typ., 33 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
      4.0
      913.83 KB
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      DS6078

      N-channel 30 V, 0.0016 Ω typ., 33 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

    • Description バージョン サイズ アクション
      AN1506
      A motor drives system for wheelchair applications
      1.2
      139.23 KB
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HW Model, CAD Libraries & SVD

    • Description バージョン サイズ アクション
      STL150N3LLH6 PSpice model 1.1
      9.96 KB
      ZIP

      STL150N3LLH6 PSpice model

製品型番 Marketing Status パッケージ Grade RoHS Compliance Grade Material Declaration**
STL150N3LLH6
Active
PowerFLAT 5x6 インダストリアル Ecopack2

STL150N3LLH6

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.