N-channel 650 V, 0.338 Ohm typ., 10 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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  • This device is an N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

    主な特徴

    • Worldwide best RDS(on)* area
    • Higher VDSSrating and high dv/dt capability
    • Excellent switching performance

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STL17N65M5 PowerFLAT 8x8 HV Tape And Reel
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STL17N65M5

パッケージ

PowerFLAT 8x8 HV

梱包タイプ

Tape And Reel

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CHINA

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    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS8988
      N-channel 650 V, 0.338 Ω typ., 10 A MDmesh™ V Power MOSFET in a PowerFLAT™ 8x8 HV package
      3.0
      1.07 MB
      PDF
      DS8988

      N-channel 650 V, 0.338 Ω typ., 10 A MDmesh™ V Power MOSFET in a PowerFLAT™ 8x8 HV package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN4829
      Fishbone diagrams for a forward converter
      1.1
      1.35 MB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN4829

      Fishbone diagrams for a forward converter

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL17N65M5
Active
PowerFLAT 8x8 HV インダストリアル Ecopack2

STL17N65M5

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.