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  • This device utilizes the 7thgeneration of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

    主な特徴

    • N-channel enhancement mode
    • Lower RDS(on)x area vs previous generation
    • 100% avalanche rated

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製品型番
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概算価格(USS)
数量
ECCN (US)
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STL20DN10F7 PowerFLAT 5x6 double island Tape And Reel
アクティブ
0.9 1000 EAR99 CHINA 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

STL20DN10F7

パッケージ

PowerFLAT 5x6 double island

梱包タイプ

Tape And Reel

Unit Price (US$)

0.9*

製品ステータス

アクティブ

Unit Price (US$)

0.9

数量

1000

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

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    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9366
      Dual N-channel 100 V, 0.059 Ω typ., 5 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island package
      3.0
      894.27 KB
      PDF
      DS9366

      Dual N-channel 100 V, 0.059 Ω typ., 5 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
      PDF
      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
      1.1
      1,006.7 KB
      PDF
      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      AN4789

      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance

      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STL20DN10F7 PSpice model 1.0
      3.53 KB
      ZIP

      STL20DN10F7 PSpice model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
      PDF
      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.1
      687.95 KB
      PDF

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL20DN10F7
アクティブ
PowerFLAT 5x6 double island インダストリアル Ecopack2

STL20DN10F7

Package:

PowerFLAT 5x6 double island

Material Declaration**:

Marketing Status

アクティブ

Package

PowerFLAT 5x6 double island

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.