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STL20DN10F7

NRND
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Dual N-channel 100 V, 0.065 Ohm typ., 5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island

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  • This device utilizes the 7thgeneration of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

    主な特徴

    • N-channel enhancement mode
    • Lower RDS(on)x area vs previous generation
    • 100% avalanche rated
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サンプル & 購入

製品型番
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
ECCN (US)
Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
STからオーダー
販売代理店からオーダー
STL20DN10F7 PowerFLAT 5x6 double island Tape And Reel
NRND
EAR99 CHINA 0.9 / 1k

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

STL20DN10F7

パッケージ

PowerFLAT 5x6 double island

梱包タイプ

Tape And Reel
詳細情報

Budgetary Price (US$)*/Qty

0.9 / 1k

製品ステータス

NRND

Budgetary Price (US$)* / Qty

0.9 / 1k

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS9366
      Dual N-channel 100 V, 0.059 Ω typ., 5 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island package       		3.0
      894.27 KB
      		PDF
      DS9366

      Dual N-channel 100 V, 0.059 Ω typ., 5 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island package

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance       		1.2
      1.13 MB
      		PDF
      		AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance       		1.1
      1,006.7 KB
      		PDF
      		AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications       		1.2
      1.45 MB
      		PDF
      		AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies       		1.1
      1.22 MB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      PDF
      AN4789

      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance

      PDF
      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      PDF
      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		STL20DN10F7 PSpice model 1.0
      3.53 KB
      		ZIP

      STL20DN10F7 PSpice model

      ZIP

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      		PDF
      		AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      676.32 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF
      		STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.1
      687.95 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

      PDF

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

      PDF
製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STL20DN10F7
NRND
PowerFLAT 5x6 double island Industrial Ecopack2

STL20DN10F7

Package:

PowerFLAT 5x6 double island

Material Declaration**:

More Info

Marketing Status

NRND

Package

PowerFLAT 5x6 double island

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください