N-channel 30 V, 1.1 mOhm typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10458
      N-channel 30 V, 1.1 mΩ typ., 260 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
      3.0
      884.2 KB
      PDF
      DS10458

      N-channel 30 V, 1.1 mΩ typ., 260 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN1506
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      1.2
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      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
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      AN4191
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      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STL260N3LLH6
アクティブ
PowerFLAT 5x6 インダストリアル Ecopack2

STL260N3LLH6

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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