STO36N60M6

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N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-LL package

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  • The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

    主な特徴

    • Reduced switching losses
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate input resistance
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected
    • High-creepage package
    • Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

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    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS12120
      N-channel 600 V, 85 mΩ typ., 30 A, MDmesh™ M6 Power MOSFET in a TO‑LL HV package
      2.0
      534.22 KB
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      DS12120

      N-channel 600 V, 85 mΩ typ., 30 A, MDmesh™ M6 Power MOSFET in a TO‑LL HV package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN5318
      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies
      1.0
      1.09 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN5318

      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      sto36n60m6 Pspice Model 1.0
      5.3 KB
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      sto36n60m6 Pspice Model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      600 to 700 V MDmesh™ M6 High-voltage, SJ MOSFETs to boost the efficiency 1.0
      722.87 KB
      PDF

      600 to 700 V MDmesh™ M6 High-voltage, SJ MOSFETs to boost the efficiency

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STO36N60M6
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TO-LL インダストリアル Ecopack2

STO36N60M6

Package:

TO-LL

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

TO-LL

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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