STP110N8F6

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N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package

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製品概要

概要

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on)in all packages.

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STP110N8F6

アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。

Symbols

EDAシンボル

Footprints

フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP110N8F6
量産中
TO-220 インダストリアル Ecopack2

STP110N8F6

Package:

TO-220

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

TO-220

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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製品ステータス
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量産中
EAR99 NEC Tube TO-220 - - CHINA

STP110N8F6 量産中

パッケージ:
TO-220
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

製品型番:

STP110N8F6

ECCN (EU):

NEC

梱包タイプ:

Tube

Operating Temperature (°C)

最小:

-

最大:

-

Country of Origin:

CHINA

販売代理店

販売代理店在庫データ:

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。