製品概要
概要
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on)in all packages.-
特徴
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
注目ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
Ideal for hard-switching and high-current topologies
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STP110N8F6
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フットプリント
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 22 Jun 2015 |
22 Jun 2015
|
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP110N8F6 |
量産中
|
TO-220 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STP110N8F6 | 2 distributors |
量産中
|
EAR99 | NEC | Tube | TO-220 | - | - | CHINA | |||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
