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This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on)in all packages.
特徴
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
注目ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
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製品スペック (1)
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05 Dec 2014 |
05 Dec 2014
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アプリケーションノート (4)
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13 Sep 2018 |
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07 Jan 2019 |
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08 Nov 2019 |
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13 Sep 2018 |
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ユーザ・マニュアル (1)
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21 Oct 2016 |
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フライヤ (4)
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22 Jan 2020 |
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25 Sep 2019 |
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08 May 2020 |
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13 Jun 2019 |
13 Jun 2019
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
品質 & 信頼性
製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STP110N8F6 |
量産中
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TO-220AB | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STP110N8F6 | 2 distributors | Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-220AB | - | - | CHINA |
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。