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This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
主な特徴
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent figure of merit (FoM)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
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製品スペック (1)
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| 09 Dec 2015 |
09 Dec 2015
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アプリケーションノート (5)
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| 13 Sep 2018 |
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| 23 Jan 2019 |
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| 07 Jan 2019 |
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| 08 Nov 2019 |
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| 13 Sep 2018 |
13 Sep 2018
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ユーザマニュアル (1)
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| 21 Oct 2016 |
21 Oct 2016
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フライヤー (4)
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| 22 Jan 2020 |
22 Jan 2020
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| 25 Sep 2019 |
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| 08 May 2020 |
08 May 2020
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| 13 Jun 2019 |
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パンフレット (1)
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| 23 Mar 2020 |
23 Mar 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STP110N8F7
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Symbols
Footprints
3D models
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HWモデル、CADライブラリ & SVD (1)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 09 Dec 2015 |
09 Dec 2015
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP110N8F7 |
量産中
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TO-220AB | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STP110N8F7 |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-220AB | - | - | CHINA | |||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
