STP11NM60ND

量産中
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N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A FDmesh II Power MOSFET in a TO-220 package

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製品概要

概要

This FDmesh II Power MOSFET with fast-recovery body diode is produced using MDmesh II technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this device features low on-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

  • 特徴

    • Fast-recovery body diode
    • Low gate charge and input capacitance
    • Low on-resistance RDS(on)
    • 100% avalanche tested
    • High dv/dt ruggedness

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STP11NM60ND

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3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP11NM60ND
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TO-220 インダストリアル Ecopack2

STP11NM60ND

Package:

TO-220

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

TO-220

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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