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This N-channel enhancement mode Power MOSFET is the latest refinement of ST’s STripFET™ process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.
主な特徴
- Ultra low on-resistance
- 100% Avalanche tested
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | 概算価格（USS） | 数量 | ECCN (US) | Country of Origin | 販売代理店からオーダー | STからオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP160N75F3 | TO-220AB | Tube | アクティブ | 2.618 | 1000 | EAR99 | CHINA | 在庫チェック | 購入 |
(*) Suggested Resale Price per unit (USD) for BUDGETARY USE ONLY. For quotes, prices in local currency, please contact your local ST Sales Office or our Distributors
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Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
開発ツール･ハードウェア
| 製品型番 | 製品ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP160N75F3 | アクティブ | TO-220AB | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.
