STP165N10F4

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N-channel 100 V STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET, 4.1 mOhm, 160 A TO-220, H2PAK

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  • The STP165N10F4 is an N-channel enhancement mode Power MOSFET built with STripFET™ DeepGATE™ technology with a new gate structure. The product is tailored to minimize on-resistance.

    主な特徴

    • N-channel enhancement mode
    • 100% avalanche rated
    • Low gate charge
    • Very low on-resistance

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技術文書

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      2.1
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      PDF
      DS6304

      N-channel 100 V, 4.4 mΩ, 120 A TO-220 STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET

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      1.2
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
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      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      UM1575

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STP165N10F4
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TO-220AB インダストリアル Ecopack2

STP165N10F4

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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