製品概要

概要

This n-channel enhancement mode Power MOSFET is the latest refinement of STMicroelectronics unique “single feature size™” strip-based process with less critical alignment steps and therefore a remarkable manufacturing reproducibility. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.

特徴
Ultra low on-resistance

100% avalanche tested
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SPICE models (1)

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ZIP	STP185N55F3 PSpice model (.lib)	1.0	11 Dec 2020	11 Dec 2020 STP185N55F3 PSpice model (.lib) 1.0

品質 & 信頼性

製品型番	マーケティング･ステータス	パッケージ	グレード	RoHSコンプライアンスグレード	材料宣誓書**
STP185N55F3	NRND	TO-220	オートモーティブ	Ecopack2	PDF XML

STP185N55F3

Package:

TO-220

Material Declaration**:

PDF XML

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	製品型番	Order from distributors	STから購入	製品ステータス	ECCN (US)	ECCN (EU)	梱包タイプ	パッケージ	最小	最大	Country of Origin	Budgetary Price (US$)*/Qty
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