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This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
主な特徴
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | 概算価格（USS） | Quantity | ECCN (US) | Country of Origin | 販売代理店からオーダー | STからオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP318N4F6 | TO-220AB | Tube | Active | - | - | EAR99 | CHINA | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
STP318N4F6
パッケージ
TO-220AB梱包タイプ
TubeUnit Price (US$)
*(*) Suggested Resale Price per unit (USD) for BUDGETARY USE ONLY. For quotes, prices in local currency, please contact your local ST Sales Office or our Distributors
ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
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| 製品型番 | 製品ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP318N4F6 | Active | TO-220AB | Industrial | Ecopack2 | |
STP318N4F6
Package:
TO-220ABMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
