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This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
主な特徴
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
モバイル･アプリケーション
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP318N4F6 | 量産中 | TO-220AB | インダストリアル | Ecopack2 | |
STP318N4F6
Package:
TO-220ABMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP318N4F6 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください | TO-220AB | Tube | 量産中 | EAR99 | CHINA |
STP318N4F6
パッケージ
TO-220AB梱包タイプ
TubeBudgetary Price (US$)*/Qty
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
