STP410N4F7AG

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Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 180 A STripFET F7 in a TO-220 package

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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主な特徴

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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    • 製品型番

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11667
      Automotive-grade N-channel 40 V, 1.5 mΩ typ., 180 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a TO-220 package
      1.0
      671.17 KB
      PDF
      DS11667

      Automotive-grade N-channel 40 V, 1.5 mΩ typ., 180 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a TO-220 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN1506
      A motor drives system for wheelchair applications
      1.2
      139.23 KB
      PDF
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
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      AN4192
      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application
      1.0
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      PDF
      AN1506

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      AN4191

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP410N4F7AG
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TO-220AB Automotive Ecopack1

STP410N4F7AG

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Package

TO-220AB

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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