Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 180 A STripFET F7 in a TO-220 package

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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主な特徴

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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      Automotive-grade N-channel 40 V, 1.5 mΩ typ., 180 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a TO-220 package
      1.0
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      DS11667

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP410N4F7AG
Active
TO-220AB オートモーティブ Ecopack1

STP410N4F7AG

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Active

Package

TO-220AB

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

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