-
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
主な特徴
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche
- Low gate drive power loss
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | 概算価格（USS） | 数量 | ECCN (US) | Country of Origin | 販売代理店からオーダー | STからオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP52P3LLH6 | TO-220AB | Tube | アクティブ | 1.5 | 1000 | EAR99 | CHINA | 在庫チェック | 購入 |
(*) Suggested Resale Price per unit (USD) for BUDGETARY USE ONLY. For quotes, prices in local currency, please contact your local ST Sales Office or our Distributors
ビデオ
開発ツール･ハードウェア
| 製品型番 | 製品ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP52P3LLH6 | アクティブ | TO-220AB | インダストリアル | Ecopack2 | |
STP52P3LLH6
Package:
TO-220ABMaterial Declaration**:
(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.
