-
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特徴
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche
- Low gate drive power loss
注目ビデオ
All tools & software
All resources
製品スペック (1)
Resource title | Latest update | |||
---|---|---|---|---|
13 Oct 2015 |
13 Oct 2015
|
アプリケーションノート (1)
Resource title | Latest update | |||
---|---|---|---|---|
13 Sep 2018 |
13 Sep 2018
|
ユーザ・マニュアル (1)
Resource title | Latest update | |||
---|---|---|---|---|
21 Oct 2016 |
21 Oct 2016
|
フライヤ (1)
Resource title | Latest update | |||
---|---|---|---|---|
08 May 2020 |
08 May 2020
|
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
品質 & 信頼性
製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
---|---|---|---|---|---|
STP52P3LLH6 |
量産中
|
TO-220AB | インダストリアル | Ecopack2 |
|
STP52P3LLH6
Package:
TO-220ABMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
最小 | 最大 | |||||||||||
STP52P3LLH6 | 1 distributors | Buy Direct |
量産中
|
EAR99 | NEC | Tube | TO-220AB | - | - | CHINA | 1.5 / 1k |
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。