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This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特徴
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche
- Low gate drive power loss
注目ビデオ
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製品スペック (1)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| 13 Oct 2015 |
13 Oct 2015
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アプリケーションノート (1)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| 13 Sep 2018 |
13 Sep 2018
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ユーザ･マニュアル (1)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| 21 Oct 2016 |
21 Oct 2016
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フライヤ (1)
| Resource title | Latest update | |||
|---|---|---|---|---|
| 08 May 2020 |
08 May 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STP52P3LLH6
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STP52P3LLH6 |
量産中
|
TO-220AB | インダストリアル | Ecopack2 |
|
STP52P3LLH6
Package:
TO-220ABMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STP52P3LLH6 | 1 distributors | Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-220AB | - | - | CHINA | 1.5 / 1k | |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
