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STP7NM80

NRND
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N-channel 800 V, 0.95 Ohm, 6.5 A MDmesh(TM) Power MOSFET in TO-220 package

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  • These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
800 V MDmesh K5 MOSFETs

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      		DS4854
      N-channel 800 V, 0.95 Ω typ., 6.5 A MDmesh™ II Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220FP and TO-220 packages       		4.0
      688.39 KB
      		PDF
      DS4854

      N-channel 800 V, 0.95 Ω typ., 6.5 A MDmesh™ II Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220FP and TO-220 packages

      PDF
    • 概要 Version Size Action
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      PDF
      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 概要 Version Size Action
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 概要 Version Size Action
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 Version Size Action
      		STP7NM80 PSpice model 1.0
      1.42 KB
      		ZIP

      STP7NM80 PSpice model

      ZIP

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF
製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STP7NM80
NRND
TO-220AB Industrial Ecopack2

STP7NM80

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

PDF XML
More Info

Marketing Status

NRND

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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