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700Vを上回るブレークダウン電圧を持つSTのMDmesh 高電圧MOSFETは、極めて低いゲート電荷(Qg)と、TO-220では250mΩ(@900V)、TO-247では900mΩ(@1500V)という低いオン抵抗(RDS(on))を実現しています。

耐圧ラインアップはは800V、850V、900V、950V、1050V、1200V、1500Vです。

さらに、耐圧950Vおよび1050Vの、ZVS LLC共振コンバータにとって最適な高速リカバリ・ダイオード・デバイス(MDmesh DK5)を導入して、超高電圧MOSFETのポートフォリオを拡充しています。これらのトランジスタの逆方向回復時間(trr)は、業界で最高速の250ns(typ値)を誇ります。
これらのMOSFETによって設計が簡素化され、SMPS、モニタやTVアダプタ、補助電源、充電器、医療用、UPS、メータリング、マイクロインバータ、LEDドライバ、HFバラストなどのアプリケーションの効率が向上します。

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