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NチャネルMOSFET(700V~)

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STのMDmesh™ 高耐圧 / 超高耐圧NチャネルMOSFETは、700 Vを超えるブレークダウン電圧や、きわめて低いゲート電荷(Qg)および低オン抵抗(RDS(on))(TO-220の場合は900Vで最小250mΩ、TO-247の場合は1500Vで最小900mΩ)を特徴とする製品です。MDmesh™ 高耐圧 / 超高耐圧NチャネルMOSFETは、STPOWERファミリの製品です。

800V / 850V / 900V / 950V / 1000V / 1050V / 1200V / 1700V耐圧の製品が提供されています。

ファストリカバリ・ダイオードを内蔵した950Vおよび1050V耐圧のMDmesh DK5シリーズにより、STの超高耐圧STPOWER MOSFET製品ポートフォリオが拡充されました。業界最高クラスの逆回復時間(trr)(typ.: 250ns)を特徴とし、ZVS LLC共振コンバータに最適な製品です。

超高耐圧NチャネルMOSFETは、スイッチング電源(SMPS)、モニタやTVアダプタ、補助電源、チャージャ、医療機器、無停電電源装置(UPS)、スマート・メータ、マイクロインバータ、LEDドライバ、HFバラストなどの設計を簡略化し、効率向上に貢献します。

STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーション開発をサポートします。