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STのMDmesh™はブレークダウン電圧が700 Vを超え、高耐圧および超高耐圧MOSFETは、非常に低いゲート電荷(Qg)と低いオン抵抗(RDS(on))(TO-220の場合は900Vで最小250mΩ、TO-247の場合は1500Vで最小900mΩ)を実現します。これらの高耐圧スーパー・ジャンクション・パワーMOSFETはSTPOWER™ファミリに属しています。

利用可能な電圧クラスは800V、850V、900V、950V、1000V、1050V、1200V、1700Vです。

STはまた、ZVS LLC共振コンバータに最適な950Vと1050Vの高速ボディダイオード内蔵パワーMOSFET(MDmesh DK5)の導入によって超高耐圧MOSFETポートフォリオも充実させました。これらは250ns(typ.)という業界最高クラスの逆回復時間(trr)を実現しています。

これらのNチャネル・パワーMOSFETによって設計が簡素化され、SMPS、モニタやTVアダプタ、補助電源、充電器、医療用、UPS、スマート・メータ、マイクロインバータ、LEDドライバ、HFバラストなどのアプリケーションの効率が向上します。

STPOWER™製品の幅広いポートフォリオは、高い信頼性と安全性を実現する最先端のパッケージングと保護性能を備え、設計者は、カスタマイズした高効率なアプリケーションに適した長期にわたって有効な適切なソリューションを見つけることができます。

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