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STのPチャネルMOSFETポートフォリオは、トレンチ・ゲート・デバイスが新たに追加されたことで拡充されました。これらの新しいSTripFET MOSFETは極めて低いオン抵抗を示します。携帯アプリケーションに特化して設計されたフォーム・ファクタが極めて小さいパッケージで提供されます。

PチャネルMOSFETポートフォリオの主な特徴

  • 極めて低いRDS(on)によるアプリケーション効率の向上
  • 設計の柔軟性を増す標準/ロジック/スーパー・ロジックの閾値電圧

これらのPチャネル・パワーMOSFETは、負荷スイッチ、リニア・レギュレータ、および車載用アプリケーションの広範な設計要件を満たすように最適化されています。D2PAK、DPAK、TO-220、SO-8、SOT-223、SOT23-6L、PowerFLAT 2x2などのさまざまな小型パッケージで提供されます。

推奨製品

Automotive-grade p-channel MOSFETs

ST has extended its offering of automotive-grade MOSFETs with the introduction of two p-channel trench-based MOSFETs. Based on ST’s STripFET H6 and F6 technology respectively, the STD37P3H6AG (-30 V, standard level driven) and STD45P4LLF6AG (-40 V, logic level driven) are housed in a DPAK package. They help simplify circuitry while optimizing performance and component count in automotive applications such as high-side switches, reverse polarity protection and audio amplifiers.

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