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高密度かつ高性能電源管理システム用に最適化されたSTのトレンチゲート低耐圧MOSFET(30 V)STripFET H7シリーズは、極めて低いオン抵抗と静電容量を実現しています。

内蔵されているショットキー・ダイオードは、通信、マザーボード、ソーラー・インバータなどのアプリケーションで、より高いスイッチング周波数での動作向けに最適化されています。

従来のSTripFET H5およびH6シリーズに比べ、新しい低耐圧H7 MOSFETシリーズはダイ面積当たりのオン抵抗がより一層低くなっています。この改善により、並列デバイス数が少なくなるため、大電力設計用途のニーズが簡素化されます。


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