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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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製品型番
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
概算価格(USS)
数量
ECCN (US)
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STからオーダー
STS5DP3LLH6 SO-8 Tape And Reel
Active
0.8 1000 EAR99 CHINA No availability of distributors reported, please contact our sales office

STS5DP3LLH6

パッケージ

SO-8

梱包タイプ

Tape And Reel

Unit Price (US$)

0.8*

製品ステータス

Active

Unit Price (US$)

0.8

数量

1000

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

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開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10161
      Dual P-channel -30 V, 48 mΩ typ., -5 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in an SO-8 package
      3.0
      706.87 KB
      PDF
      DS10161

      Dual P-channel -30 V, 48 mΩ typ., -5 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in an SO-8 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STS5DP3LLH6
Active
SO-8 インダストリアル Ecopack2

STS5DP3LLH6

Package:

SO-8

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

SO-8

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.