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  • This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主な特徴

    • Fast-recovery body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Low on-resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

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STU6N60DM2 IPAK Tube
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STU6N60DM2

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IPAK

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Tube

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技術文書

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      DS12223
      N-channel 600 V, 0.95 Ω typ., 5 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in an IPAK package
      2.0
      330.84 KB
      PDF
      DS12223

      N-channel 600 V, 0.95 Ω typ., 5 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in an IPAK package

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      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection
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      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode
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      AN2626
      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter
      1.4
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      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
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      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      AN4250

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      TN1156

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      UM1575

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      1.03 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STU6N60DM2
Active
IPAK インダストリアル Ecopack2

STU6N60DM2

Package:

IPAK

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

IPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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