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  • This N-channel enhancement mode Power MOSFET benefits from the latest refinement of STMicroelectronics’ unique “single feature size” strip-based process, which decreases the critical alignment steps to offer exceptional manufacturing reproducibility. The result is a transistor with extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.

    主な特徴

    • RDS(on)*Qgindustry’s benchmark
    • Conduction losses reduced
    • Low profile, very low parasitic inductance
    • Switching losses reduced

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STV300NH02L PowerSO-10 Tape And Reel
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STV300NH02L

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PowerSO-10

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開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS5159
      N-channel 24 V, 0.8 mΩ typ., 200 A STripFET™ III Power MOSFET in a PowerSO-10 package
      3.1
      803.89 KB
      PDF
      DS5159

      N-channel 24 V, 0.8 mΩ typ., 200 A STripFET™ III Power MOSFET in a PowerSO-10 package

    • Description バージョン サイズ アクション
      AN1506
      A motor drives system for wheelchair applications
      1.2
      139.23 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
      PDF
      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4192
      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application
      1.0
      4.8 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN1506

      A motor drives system for wheelchair applications

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      AN4192

      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • Description バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • Description バージョン サイズ アクション
      STV300NH02L PSpice model (.lib) 1.0
      940 Byte(s)
      ZIP

      STV300NH02L PSpice model (.lib)

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STV300NH02L
Active
PowerSO-10 インダストリアル Ecopack1

STV300NH02L

Package:

PowerSO-10

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

PowerSO-10

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.