STW13N60M2

量産中

N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package

データシートのダウンロード

Order from our distributors

Check availability
概要
リソース
ツール & ソフトウェア
ソリューション
eDesignSuite
品質 & 信頼性
Sales Briefcase
はじめる
サンプル & 購入
Partner products
  • These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

    主な特徴

    • Extremely low gate charge
    • Lower RDS(on)x area vs previous generation
    • Low gate input resistance
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected

サンプル & 購入

製品型番
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
ECCN (US)
Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
STからオーダー
販売代理店からオーダー
STW13N60M2 TO-247 Tube
量産中
EAR99 CHINA 在庫チェック

販売代理店在庫STW13N60M2

代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
RS COMPONENTS EUROPE 212 1 発注する
Newark Element14 AMERICA 137 0 発注する
Farnell Element14 EUROPE 349 1 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-05-29

代理店名

RS COMPONENTS

在庫

212

Min.Order

1

地域

EUROPE 発注する

Newark Element14

在庫

137

Min.Order

0

地域

AMERICA 発注する

Farnell Element14

在庫

349

Min.Order

1

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-05-29

STW13N60M2

パッケージ

TO-247

梱包タイプ

Tube

Budgetary Price (US$)*/Qty

販売代理店在庫STW13N60M2

代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
RS COMPONENTS EUROPE 212 1 発注する
Newark Element14 AMERICA 137 0 発注する
Farnell Element14 EUROPE 349 1 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-05-29

代理店名

RS COMPONENTS

在庫

212

Min.Order

1

地域

EUROPE 発注する

Newark Element14

在庫

137

Min.Order

0

地域

AMERICA 発注する

Farnell Element14

在庫

349

Min.Order

1

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-05-29

製品ステータス

量産中

Budgetary Price (US$)* / Qty

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

推奨製品

推奨コンテンツ

モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

00 ファイルがダウンロード用に選択されています

技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9368
      N-channel 600 V, 0.35 Ω typ., 11 A MDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packages
      5.0
      1.23 MB
      PDF
      DS9368

      N-channel 600 V, 0.35 Ω typ., 11 A MDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packages

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN4829
      Fishbone diagrams for a forward converter
      1.1
      1.35 MB
      PDF
      AN4720
      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection
      1.0
      1.4 MB
      PDF
      AN4742
      MDmesh™ M2 EP: an additional improvement to MDmesh™ M2 ST Super-Junction Technology
      1.0
      1.29 MB
      PDF
      AN4406
      MDmesh™ M2: the new ST super-junction technology ideal for resonant topologies
      1.0
      652.78 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN5318
      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies
      1.0
      1.09 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN4829

      Fishbone diagrams for a forward converter

      AN4720

      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection

      AN4742

      MDmesh™ M2 EP: an additional improvement to MDmesh™ M2 ST Super-Junction Technology

      AN4406

      MDmesh™ M2: the new ST super-junction technology ideal for resonant topologies

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN5318

      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STW13N60M2 PSpice model 1.0
      9.76 KB
      ZIP

      STW13N60M2 PSpice model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      PDF
      600/650 V MDmesh™ M2 1.0
      680.13 KB
      PDF
      FLMDMESHM250420 with new template 1.0
      145.61 KB
      PDF
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      600/650 V MDmesh™ M2

      FLMDMESHM250420 with new template

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STW13N60M2
量産中
TO-247 Industrial Ecopack2

STW13N60M2

Package:

TO-247

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

TO-247

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください