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  • This device is an N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

    主な特徴

    • Higher VDSrating
    • Higher dv/dt capability
    • Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
    • Easy to drive
    • 100% avalanche tested

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製品型番
パッケージ
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製品ステータス
ECCN (US)
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STW57N65M5-4 TO247-4 Tube
量産中
EAR99 CHINA 10.95

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STW57N65M5-4

パッケージ

TO247-4

梱包タイプ

Tube

Approximate Price (US$)* / Qty

10.95

製品ステータス

量産中

Budgetary Price (US$)* / Qty

10.95

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

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推奨製品

推奨コンテンツ

モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9626
      N-channel 650 V, 0.056 Ω typ., 42 A, MDmesh™ V Power MOSFET in a TO247-4 package
      2.0
      1.17 MB
      PDF
      DS9626

      N-channel 650 V, 0.056 Ω typ., 42 A, MDmesh™ V Power MOSFET in a TO247-4 package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4407
      Advantage of the use of an added driver source lead in discrete Power MOSFETs
      2.0
      5.42 MB
      PDF
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN4829
      Fishbone diagrams for a forward converter
      1.1
      1.35 MB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4407

      Advantage of the use of an added driver source lead in discrete Power MOSFETs

      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN4829

      Fishbone diagrams for a forward converter

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STW57N65M5-4 PSpice model 2.0
      10.56 KB
      ZIP

      STW57N65M5-4 PSpice model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      944.77 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STW57N65M5-4
量産中
TO247-4 Industrial Ecopack2

STW57N65M5-4

Package:

TO247-4

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

TO247-4

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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