STX13003

NRND
Design Win

High voltage fast-switching NPN power transistor

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製品概要

概要

The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STX13003

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STX13003-AP
NRND
TO-92 インダストリアル Ecopack2

STX13003-AP

Package:

TO-92

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

TO-92

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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RoHS
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STX13003-AP
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STX13003-AP NRND

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ECCN (US):
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STX13003-AP

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。