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  • The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.

    It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.
    The STX93003 is expressly designed for a new solution to be used in compact fluorescent lamps, where it is coupled with the STX83003, its complementary NPN transistor.

    主な特徴

    • ST93003 SILICON IN TO-92 PACKAGE
    • LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
    • MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY
    • VERY HIGH SWITCHING SPEED
    • MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION

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STX93003 TO-92 Poly Bag
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STX93003

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS2932
      High voltage fast-switching PNP power transistor
      2.3
      249.24 KB
      PDF
      DS2932

      High voltage fast-switching PNP power transistor

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN3400
      Analysis and simulation of a BJT complementary pair in a self-oscillating CFL solution
      1.0
      4.34 MB
      PDF
      AN3400

      Analysis and simulation of a BJT complementary pair in a self-oscillating CFL solution

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STX93003
Active
TO-92 インダストリアル Ecopack1

STX93003

Package:

TO-92

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

TO-92

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.