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  • The LET9045C is a common source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0 GHz. The LET9045C is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for base station applications requiring high linearity.

    主な特徴

    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration
    • POUT (@28 V) = 45 W with 18.5 dB gain @ 960 MHz
    • POUT (@36V) = 70 W with 18.5 dB gain @ 960 MHz
    • BeO free package
    • In compliance with the 2002/95/EC European directive

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS6121
      RF power transistor from the LdmoST family of n-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
      4.1
      201.29 KB
      PDF
      DS6121

      RF power transistor from the LdmoST family of n-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      LET9045C ADS model 1.0
      437.66 KB
      ZIP

      LET9045C ADS model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
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      28/32 V LDMOS: New IDCH technology boosts RF power performance up to 4 GHz

      28/32V LDMOS: IDDE technology boost efficiency & robustness

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製品ステータス
ECCN (US)
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梱包タイプ
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温度(℃) Budgetary Price (US$)*/Qty
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LET9045C

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Loose Piece M243 - - 53.3 / 1k

LET9045C

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Loose Piece

パッケージ

M243

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(最小)

-

(最大)

-

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