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  • The LET9045F is a common source n-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0 GHz. The LET9045F is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for base station applications requiring high linearity.

    主な特徴

    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration
    • POUT (@28 V) = 45 W with 18.5 dB gain @ 960 MHz
    • POUT (@36V) = 70 W with 18.5 dB gain @ 960 MHz
    • BeO free package
    • In compliance with the 2002/95/EC European directive

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS6577
      RF power transistor from the LdmoST family of n-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
      3.1
      196.56 KB
      PDF
      DS6577

      RF power transistor from the LdmoST family of n-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      LET9045F ADS model 1.0
      401.28 KB
      ZIP

      LET9045F ADS model

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