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  • The LET9120 is a common source n-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.6 GHz.

    主な特徴

    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration push-pull
    • POUT= 120 W with 18 dB gain @ 860 MHz
    • BeO-free package

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS6162
      RF power transistor from the LdmoST family of n-channel ehancement-mode lateral MOSFETs
      5.1
      202.94 KB
      PDF
      DS6162

      RF power transistor from the LdmoST family of n-channel ehancement-mode lateral MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      LET9120 ADS model 1.0
      394.15 KB
      ZIP

      LET9120 ADS model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      28/32 V LDMOS: New IDCH technology boosts RF power performance up to 4 GHz 1.0
      114.52 KB
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      187.81 KB
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      28/32 V LDMOS: New IDCH technology boosts RF power performance up to 4 GHz

      28/32V LDMOS: IDDE technology boost efficiency & robustness

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製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
LET9120

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Loose Piece M246 - - 124.8 / 1k

LET9120

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Loose Piece

パッケージ

M246

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。