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  • The PD84008L-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 7.5 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD84008L-E boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in leadless SMD plastic RF power package, PowerFLAT™.

    主な特徴

    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration
    • POUT = 8 W with 13 dB gain @ 870 MHz / 7.5 V
    • Plastic package
    • ESD protection
    • In compliance with the 2002/95/EC european directive

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PD84008L-E
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開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      Mismatch analysis for RF transistor circuits based on Agilent ADS

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    • 製品型番

      4 W / 400 - 470 MHz reference design using PD84001 + PD84008L-E + LPF

      5 W, 740 - 950 MHz evaluation board based on PD84008L-E

      6 W / 380 - 512 MHz evaluation board based on the PD84008L-E

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS5616
      RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
      3.1
      198.55 KB
      PDF
      DS5616

      RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • Description バージョン サイズ アクション
      PD84008L-E ADS model 1.0
      313.91 KB
      ZIP

      PD84008L-E ADS model

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
PD84008L-E
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PD84008L-E

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PowerFLAT 5x5 HV

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PowerFLAT 5x5 HV

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Industrial

RoHS Compliance Grade

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(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.