PD85015-E

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RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

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概要

The PD85015-E is a common source N-channel, enhancement-mode, lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband, commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The PD85015-E boasts excellent gain, linearity and reliability thanks to ST's latest LDMOS technology mounted on the first true SMD plastic RF power package, the PowerSO-10RF. The superior linearity of the device makes it an ideal solution for car radios. The PowerSO-10 plastic package, designed for high reliability, is the first JEDEC approved, high power SMD package from ST. It is optimized for RF requirements, and offers excellent RF performance and ease of assembly.
  • All features

    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration
    • POUT = 15 W with 16 dB gain @ 870 MHz / 13.6 V
    • Plastic package
    • ESD protection
    • In compliance with the 2002/95/EC European directive

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STMicroelectronics - PD85015-E

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EAR99 NEC Tube PowerSO-10RF (formed lead) - -
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PD85015TR-E

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EAR99 NEC Tape And Reel PowerSO-10RF (formed lead) - -

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EAR99

ECCN (EU)

NEC

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PowerSO-10RF (formed lead)

Operating Temperature (°C)

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Tape And Reel

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(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。