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  • The SD56120 is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0GHz. The SD56120 is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28 V. It is ideal for broadcast applications from 470 to 860 MHz requiring high linearity.

    主な特徴

    • Excellent thermal stability
    • POUT = 100W with 14dB gain @ 860MHz
    • Common source configuration Push-pull
    • BeO free package

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS1822
      RF power transistor, the LdmoST family
      4.1
      224.57 KB
      PDF
      DS1822

      RF power transistor, the LdmoST family

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      SD56120 ADS model 1.0
      87.77 KB
      ZIP

      SD56120 ADS model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      28/32 V LDMOS: New IDCH technology boosts RF power performance up to 4 GHz 1.0
      114.52 KB
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      28/32V LDMOS: IDDE technology boost efficiency & robustness 1.0
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      28/32 V LDMOS: New IDCH technology boosts RF power performance up to 4 GHz

      28/32V LDMOS: IDDE technology boost efficiency & robustness

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Budgetary Price (US$)*/Qty
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最大
SD56120

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

NRND
EAR99 NEC Loose Piece M246 - -

SD56120

製品ステータス

NRND

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Loose Piece

パッケージ

M246

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。