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  • The SD57060 is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0 GHz. The SD57060 is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 28V. It is ideal for base station applications requiring high linearity.

    主な特徴

    • Excellent thermal stability
    • POUT = 60W with 13dB gain @ 945MHz
    • Common source configuration
    • In compliance with the 2002/95/EC european directive
    • BeO free package

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製品型番
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SD57060
NRND
- M243 Loose Piece EAR99 - No availability of distributors reported, please contact our sales office 購入

SD57060

製品ステータス

NRND

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パッケージ

M243

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    • 製品型番

      Mismatch analysis for RF transistor circuits based on Agilent ADS

      Large signal load stability for RF transistors based on Agilnet ADS

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS1753
      RF power transistor the LdmoST family
      7.2
      395.18 KB
      PDF
      DS1753

      RF power transistor the LdmoST family

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • Description バージョン サイズ アクション
      SD57060 ADS model 1.0
      490.3 KB
      ZIP

      SD57060 ADS model

関連資料

    • Description バージョン サイズ アクション
      28/32V LDMOS; IDDE technology boost efficiency & robustness 1.0
      221.33 KB
      PDF

      28/32V LDMOS; IDDE technology boost efficiency & robustness

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SD57060
NRND
M243 インダストリアル Ecopack1

SD57060

Package:

M243

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

M243

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.