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STAC1214-350

量産中
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350 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor

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概要
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Product overview

概要

The STAC1214-350 is a 50 V common-source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for L-band radar applications.

  • All features

    • High efficiency and linear gain operations
    • Integrated ESD protection
    • Internal input matching for ease of use
    • Large positive and negative gate/source voltage range for improved class C operation
    • In compliance with the European Directive 2002/95/EC
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製品スペック (1)

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DS12756 350 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor 2.0
05 Aug 2020
05 Aug 2020
DS12756 350 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor 2.0

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STAC1214-350

Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.

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HWモデル / CADライブラリ / SVD (1)

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STAC1214-350 ADS model 1.0
10 Dec 2020
10 Dec 2020
STAC1214-350 ADS model 1.0

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店から購入
STから購入
製品ステータス
ECCN (US)
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梱包タイプ
パッケージ
温度（℃） Budgetary Price (US$)*/Qty
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最大
STAC1214-350

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
量産中
EAR99 NEC Loose Piece STAC780-4F - -

STAC1214-350

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99
詳細情報

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Loose Piece

パッケージ

STAC780-4F

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。