製品概要
概要
The STAC1214-350 is a 50 V common-source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for L-band radar applications.-
特徴
- High efficiency and linear gain operations
- Integrated ESD protection
- Internal input matching for ease of use
- Large positive and negative gate/source voltage range for improved class C operation
- In compliance with the European Directive 2002/95/EC
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STAC1214-350
アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
ADS models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 10 Dec 2020 |
10 Dec 2020
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STAC1214-350 |
量産中
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STAC780-4F | インダストリアル | Ecopack1 |
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STAC1214-350
Package:
STAC780-4FMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||
| STAC1214-350 |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
量産中
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EAR99 | NEC | Loose Piece | STAC780-4F | - | - | |||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
