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  • The STAC4933 is an N-channel MOS field-effect RF power transistor, intended for use in 50 V ISM applications up to 100 MHz.

    主な特徴

    • Improved ruggedness V(BR)DSS > 200 V
    • Excellent thermal stability
    • POUT = 300 W min. with 24 dB gain @ 30 MHz
    • STAC air cavity packaging technology - STAC®package

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製品型番
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STAC4933 STAC177B Loose Piece
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STAC4933

パッケージ

STAC177B

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開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      Mismatch analysis for RF transistor circuits based on Agilent ADS

      Large signal load stability for RF transistors based on Agilnet ADS

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS8848
      HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET
      2.0
      392.59 KB
      PDF
      DS8848

      HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFET

    • Description バージョン サイズ アクション
      AN3232
      Mounting recommendations for STAC® and STAP® boltdown packages
      4.0
      1.67 MB
      PDF
      AN2027
      Mounting recommendations for ceramic DMOS packages
      2.4
      47.85 KB
      PDF
      AN3232

      Mounting recommendations for STAC® and STAP® boltdown packages

      AN2027

      Mounting recommendations for ceramic DMOS packages

HW Model, CAD Libraries & SVD

    • Description バージョン サイズ アクション
      STAC4933 ADS model 1.0
      340.61 KB
      ZIP

      STAC4933 ADS model

製品型番 Marketing Status パッケージ Grade RoHS Compliance Grade Material Declaration**
STAC4933
Active
STAC177B インダストリアル Ecopack1

STAC4933

Package:

STAC177B

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

STAC177B

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.