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  • The STAC9200 is a common source N-channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor designed for broadband applications in the HF to 1300 MHz frequency range. The STAC9200 benefits from the latest generation of efficient STAC package technology.

    主な特徴

    • Improved ruggedness: V(BR)DSS > 80 V
    • Load mismatch 65:1 all phases at 200 W, 32 V, 860 MHz, PW 1ms, DC = 10%
    • POUT = 200 W min. (230 W typ.) with 16 dB gain at 860 MHz
    • In compliance with the 2002/95/EC European directive
    • ST air-cavity STAC packaging technology

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9997
      200 W, 32 V HF to 1.3 GHz LDMOS transistor in a STAC package
      4.0
      362.59 KB
      PDF
      DS9997

      200 W, 32 V HF to 1.3 GHz LDMOS transistor in a STAC package

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量産中
EAR99 NEC Loose Piece STAC780-4B - -

STAC9200

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量産中

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EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Loose Piece

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