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  • The STAP85025S is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broadband commercial and industrial applications. It operates at 13.6 V in common source mode at a frequency up to 1 GHz. The STAP85025S boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST’s latest LDMOS technology mounted in STAP® ST advanced PowerSO-10 RF package. The STAP85025S superior linearity performance makes it an ideal solution for the car mobile radio.

    The STAP® ST plastic package has been designed to offer high reliability and high power capability. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performance and ease of assembly.

    主な特徴

    • Excellent thermal stability
    • Common source configuration
    • POUT = 25 W with 15.7 dB gain @ 870 MHz / 13.6 V
    • Plastic package
    • ESD protection
    • In compliance with the 2002/95/EC European directive

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS6309
      RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
      5.0
      189.37 KB
      PDF
      DS6309

      RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

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製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
STAP85025S

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

開発中
EAR99 NEC Tube PowerSO 2 - -

STAP85025S

製品ステータス

開発中

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

PowerSO 2

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。