SiC(シリコン・カーバイド): 革新的な高電圧スイッチングおよび整流を実現する最先端技術
STのSiC(シリコン・カーバイド)製品のポートフォリオには、業界最高クラスの200℃の接合部温度定格を特徴とするSTPOWER SiC MOSFET(650V~1700V)や、超低スイッチング損失および標準シリコン・ダイオードよりも順方向電圧(VF)が15%低いSTPOWER SiCダイオード(600V~1200V)が含まれており、効率的かつシンプルな設計を可能にします。詳細については、SiCに関するイノベーション & テクノロジーのページをご覧ください。
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STPOWER SiC MOSFET
主な特徴
- 車載グレード(AG)対応
- きわめて優れた温度特性(最大TJ = 200℃)
- きわめて低いスイッチング損失(温度による変動の最小化)により、高いスイッチング周波数で動作可能
- 動作温度範囲全体にわたる低いオン抵抗
- シンプルなゲート駆動
- 実績のある高速かつ堅牢なボディ・ダイオード
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