STのSiC（シリコン･カーバイド）パワーMOSFETのポートフォリオは、業界最高クラスの動作時接合部温度定格である200℃を実現し、総電力損失の大幅な低減による高効率化、小型化、軽量化を特徴としています。温度依存性が極めて小さいため、クラス最高のシリコン技術と比べて、高温において極めて低いオン抵抗（単位面積あたり）と優れたスイッチング特性を持ちます。
主な特徴
- 業界最高クラスとなる200℃の動作時接合部温度定格（Tj max）による、システムの信頼性強化およびPCBフォーム･ファクタの縮小（温度管理の簡素化）
- 200℃までの全温度範囲にわたる低いオン抵抗による冷却要件の緩和、およびシステム効率の改善
- 極めて小さい温度依存性によるスイッチング損失の低減および小型設計の実現（小型受動部品が使用可能）
- 低いオン抵抗（650Vデバイス: 20mΩ（typ）@ 25℃、1200Vデバイス: 80mΩ（typ）@ 25℃）によるシステム効率の向上（冷却要件の緩和）
- 容易なゲート駆動
- 超高速かつ堅牢な内蔵ボディ･ダイオード（外付けのフリーホイール･ダイオードが不要のため、システムの小型化が可能）
ビデオ
Key benefits of the Silicon Carbide technology in car electrification application
- SCTW90N65G2V Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCT20N120H Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
- SCTW35N65G2V Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCTH90N65G2V-7 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
- SCTWA10N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
- SCTWA20N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 long leads package
- SCTWA50N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
- SCTW70N120G2V Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 22 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
- SCT30N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
- SCTW40N120G2VAG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCT10N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
- SCTW35N65G2VAG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCT50N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
- SCTH40N120G2V7AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
- SCTH100N65G2-7AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 95 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
- SCT20N120AG Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
- SCTWA30N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
- SCTW100N65G2AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
- SCT10N120AG Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
- SCTH35N65G2V-7 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
- SCTH35N65G2V-7AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
- SCT20N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
