STのシリコン･カーバイドMOSFETのポートフォリオは、業界最高の動作時接合部温度定格である200℃を実現し、総電力損失を大幅に低減することで、高効率化、小型化、軽量化を可能にします。温度依存性が極めて小さいため、高温においてクラス最高のシリコン技術より極めて低いオン抵抗（単位面積あたり）と優れたスイッチング特性を示します。
主な特徴:
- 業界最高の動作時接合部温度定格（Tj max）である200℃を実現し、システムの信頼性を強化するとともにPCBのフォーム･ファクタを縮小（温度管理の簡素化）
- 200℃までの全温度範囲にわたる低いオン抵抗が冷却要件を緩和しシステム効率を改善
- 極めて小さい温度依存性によりスイッチング損失が低減され、小型設計に寄与（小型受動部品が使用可能）
- 低いオン抵抗（650Vデバイス: 20mΩ（typ）@ 25℃、1200Vデバイス: 80mΩ（typ）@ 25℃）によるシステム効率の向上（冷却要件の緩和）
- 容易な駆動
- 超高速で堅牢な寄生ボディ･ダイオード（外付けのフリーホイール･ダイオードが不要でシステム小型化に寄与）
ビデオ
Key benefits of the Silicon Carbide technology in car electrification application
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SCTW90N65G2V
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
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SCTW35N65G2V
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package
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SCTH90N65G2V-7
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
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SCTWA10N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
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SCTWA20N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 long leads package
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SCTWA50N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
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SCT30N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
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SCT10N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
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SCT50N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
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SCTH100N65G2-7AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 95 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
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SCT20N120AG
Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
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SCTWA30N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package
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SCTW100N65G2AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package
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SCT10N120AG
Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
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SCTH35N65G2V-7
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
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SCTH35N65G2V-7AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an H2PAK-7 package
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SCT20N120
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package
